Silika Karbida (SiC) ++ sekilas

Silka karbida terbentuk melalui ikatan kovalen antara unsur Si dan C. Unsur C memiliki nomor atom 6 dengan jari-jari atom 0,078 nm. Nomor atom unsur Si adalah 14 dengan jari-jari atom 0,117 nm (suparman.2010). Ikatan kovalen merupakan ikatan yang terjadi karena adanya pemakaian bersama elektron – elektron dari suatu unsur – unsur yang bersangkutan. Ikatan kovalen biasanya terjadi karena kecenderungan suatu unsur membentuk susunan duplet atau oktet. Konfigurasi atom C adalah 1s2 2s2 2s2 , yang berarti terdapat empat elektron valensi dari atom C yang terdapat di kulit L. Sedangkan konfigurasi atom Si adalah 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2, yang berarti terdapat empat elektron valensi dari atom Si yang terdapat di kulit M. Silika karbida (SiC) dapat terbentuk karena kedua unsur memakai bersama elektron valensi dari masing – masing unsur untuk membentuk oktet. 

Parameter Fisik dan Mekanik

Parameter	Material
	Sintesis SiC
Density, g/cm³	3,12 – 3,17
Microstructure feature size	200 μm
Transverse rupture strength, Mpa	350 – 450
Young modulus, Gpa	390 – 420
Vickers’ microhardness, Gpa	23 – 28
Fracture toughness, Mpa m½	3,0 – 4,0
Thermal conductivity, W mˆ(-1) x Кˆ(-1)	90 – 130
Thermal expansion ratio, 10ˆ(-6) x Кˆ(-1)	4,0 – 4.5

Tabel.1  Parameter fisik dan mekanik SiC(wikipedia)

sumber : Suparman.2010. Bogor:Institut Pertanian Bogor

  Silicon Carbide,( http://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_caride),