CSD
(Chemical Solution Deposition)
Merupakan
salah satu metode yang digunakan untuk fabrikasi lapisan tipis (thin film), dimana sampel yang dibuat
berbentuk cair. Ada 3 tahap proses dalam metode ini, yaitu :
1. Pembuatan
larutan
Pada
proses ini, larutan sampel yang akan digunakan HARUS HOMOGEN. Homogen atau
tidaknya larutan akan mempengaruhi hasil TF yang dibuat, biasanya lapisan akan
menjadi getas dan akan berpengaruh pada karakterisasi. Pada pembuatan larutan
ini ada parameter yang harus diperhatikan, yaitu viskositas larutan (berpengaruh
pada Molaritas larutan). Larutan yang digunakan tidak boleh terlalu kental,
karena pada saat pemutaran pada proses Spin Coating akan menyebabkan larutan
menggumpal di permukaan substrat, sehingga lapisan akan menjadi getas.
2. Deposisi
larutan
Metode
deposisi larutan ada 2 yaitu Spin Coating dan Tape Coating (sejauh yang saya
ketahui :D ), akan tetapi pada artikel ini saya menggunakan metode Spin
Coating. Metode Spin Coating adalah suatu metode penumbuhan lapisan tipis pada
substrat dengan cara meneteskan cairan kepusat substrat yang diputar. Alat untuk
metode Spin Coating adalah Spin Coater.
Tahap
– tahan proses Spin Coating :
a. Deposisi
lapisan pelapis diatas substrat
Pada proses ini dapat menggunakan pipet dengan
meneteskan larutan pelapis diatas substrat
b. Langkah
penipisan cairan pelapis
Substrat yang telah ditetesi larutan pelapis,
kemudian diputar dengan kecepatan putar tinggi. Putaran pada substrat akan
menyebabkan larutan menyebar dan menempel keseluruh permukaan substrat, dan
terkadang terdapat larutan yang terpecik keluar substrat. Besarnya kecepatan
putar tergantung pada bahan.
c. Ketika
substrat pada kecepatan konstan (sesuai yang diinginkan), yang dicirikan dengan
penipisan lapisan pelapis secara perlahan – lahan, sehingga didapatkan
ketebalan larutan yang homogen.
d. Ketika
substrat diputar pada kecepatan konstan dan terjadi penguapan pelarut.
3. Thermal
Process (Perlakuan panas)
Proses
perlakuan panas pada CSD meliputi :
a. Hidrotermal
Penguapan kandungan air pada senyawa dengan
menggunakan panas tertentu, sehingga kandungan air menjadi berkurang. Suhu yang
digunakan pada proses ini berkisar dari 100oC (merupakan titik didih
air, dan terjadi penguapan) sampai dengan 300oC.
b. Pirolisis
Dekomposisi pada bahan melalui proses pemanasan
tanpa / sedikit oksigen. Proses pirolisis bertujuan untuk menghilangkan unsur –
unsur yang tidak diinginkan dalam sampel, dan menghilangkan air jika ada yang
terjebak dalam bahan sampel. Pemanasan pada proses pirolisis menggunakan suhu
tinggi, yaitu lebih dari 300oC sampai 400oC.
c. Annealing
Prinsip annealing adalah memanaskan sampel pada suhu
tertentu, kemudian menahannya pada waktu tertentu, kemudian didinginkan dengan
lambat. Arah proses annealing ini adalah menjadikan sampel ke kristal / amorf.
Pada proses annealing ini terdapat 3 tahapan :
· Pemanasan sampel dengan suhu tertentu,
dimana suhu yang digunakan antara 500oC – 1000oC.
· Sampel ditahan dalam waktu tertentu.
· Dan didinginkan secara perlahan ketika
sampel diinginkan menjadi kristal, dan didinginkan secara cepat ketika sampel
diinginkan menjadi amorf.
Skema proses
Annealing
Variasi jumlah lapis
pada thin film : semakin banyak jumlah lapis, semakin tebal lapisannya. Untuk mengukur
ketebalan dapat meggunakan SEM dan DEGTA. Akan tetapi pada uji XRD, semakin
banyak jumlah lapis, intensitas makin tinggi disemua puncak. Bisa diketahui
bahwa larutan sudah homogen, adalah
dilihat dari lapisan yang rata dan gradasi warna. Pengaruh kecepatan putar pada proses Spin Coating : untuk jumlah
lapis yang sama, semakin tinggi kecepatan putarnya, semakin tipis lapisan
tersebut. Akan tetapi deposisi molekulnya berkurang, sehingga berpengaruh pada
hasil XRF. Variasi suhu : berpengaruh
pada ukuran butir kristal, semakin tinggi suhu, semakin besar ukuran butirnya
(SEM).
Tidak ada komentar:
Posting Komentar